Solitron Devices 2N2880軍標級NPN功率晶體管
發布時間:2025-02-25 09:17:16 瀏覽:174
2N2880是一款由Solitron Devices公司生產的NPN型功率晶體管,采用TO-59封裝形式。它具有低導通電阻、低飽和電壓、低漏電流和低驅動需求等特點,廣泛應用于高壓逆變器、轉換器、開關穩壓器和線路驅動放大器等設備中。
2. 主要特性
符合軍用標準:符合MIL-PRF-19500/315標準,適用于高可靠性應用。
低導通電阻:降低功率損耗,提高效率。
低飽和電壓:在高電流下保持低電壓降。
高頻率響應與快速切換:適用于高頻開關應用。
高電流增益:提供穩定的電流放大能力。
安全工作區域:在高電壓和高電流條件下保持穩定運行。
高頻應用:適用于開關電源和高頻逆變器。
3. 電氣參數
參數 | 符號 | 最小值 | 最大值 | 單位 |
集電極-發射極擊穿電壓 | V(BR)CEO | - | 80 | Vdc |
集電極-基極擊穿電壓 | V(BR)CBO | - | 110 | Vdc |
發射極-基極擊穿電壓 | V(BR)EBO | - | 8 | Vdc |
集電極-發射極截止電流 | ICEO | - | 20 | μA |
發射極-基極截止電流 | IEBO | - | 0.2 | μA |
正向電流傳輸比 | hFE | 40 | 120 | - |
集電極-發射極飽和電壓 | VCE(sat) | 0.25 | 1.5 | Vdc |
基極-發射極飽和電壓 | VBE(sat) | - | 1.2 | Vdc |
熱阻 | RθJC | - | 3.33 | °C/W |
輸出電容 | Cobo | - | 150 | pF |
脈沖上升時間 | tr | - | 300 | ns |
脈沖下降時間 | tf | - | 300 | ns |
4. 封裝與尺寸
封裝類型:TO-59
尺寸:2.29 mm*8.08 mm*11.10 mm(長*寬*高)
5. 應用領域
2N2880適用于以下領域:
高壓逆變器:用于高效能量轉換。
開關電源:提供快速切換能力。
高頻轉換器:適用于高頻電路設計。
線路驅動放大器:用于高電壓放大應用。
6. 訂購信息
2N2880提供多種訂購選項,包括:
JAN2N2880
JANTX2N2880
JANTXV2N2880
推薦資訊
Solitron Devices SMF460 MOSFET適用于高電壓、高電流應用(如電源轉換器、電機驅動器和高功率開關電路),關鍵特性包括連續漏極電流10A、導通電阻300mΩ、內置快速恢復二極管、能承受高能量脈沖等;封裝為TO-254密封封裝,有背面隔離,可進行JANTX、JANTXV篩選;絕對最大額定值、電氣規格和熱阻等方面有一系列具體參數,如漏源電壓650V、結溫范圍-55°C至150°C、熱阻1.08°C/W等。
IR HiRel集成電路?的光伏隔離器(PVI)提供單通道和雙通道光隔離輸出,可用作直接驅動分立器件輸出功率MOSFET和/或IGBT的柵極。該系列機械設備為設計師提供了構建定制固態繼電器的操作靈活性,可操控1000V赫100A以上的負載。
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