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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優異的動態導通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關。IR-HiRel不僅節省了功率，降低了系統的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統的整體效率。

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  DEI線路接收器DEI1044A/1045A系列 2022-05-31 16:54:32

  DEI?線路接收器DEI1044A和DEI1045A是根據BiCMOS技術的四通道ARINC429線路接收器IC，包含四個差分線路接收器。每個接收器通道將輸入ARINC429數據總線信號轉換為一對TTL/CMOS輸出。