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  Infineon英飛凌IRHMS67260抗輻射功率MOSFET 2024-04-10 09:53:17

  IRHMS67260是一款抗輻射的N溝道MOSFET，額定電壓200V，電流45A，采用R6 TO-254AA封裝，具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)、抵御單粒子效應(yīng)能力等特點(diǎn)。廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電力推進(jìn)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，在高輻射環(huán)境下表現(xiàn)穩(wěn)定可靠。已有更優(yōu)產(chǎn)品JANSR2N7584T1推出。

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  MICRON DDR3 SDRAM 2021-03-17 17:13:30

  MICRON? DDR3 SDRAM在之前的DDR和DDR2 SDRAM上提供額外的傳輸速率。除去優(yōu)質(zhì)的性能指標(biāo)，MICRON DDR3有一個(gè)較低的工作頻率范圍。結(jié)果顯示可能是應(yīng)用領(lǐng)域更高的傳輸速率來(lái)執(zhí)行系統(tǒng)，與此同時(shí)消耗相等或更少的系統(tǒng)輸出功率。