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Renesas射頻衰減器

發(fā)布時(shí)間：2022-05-09 16:53:13 瀏覽：984

Renesas單片硅射頻衰減器可提供各種各樣數(shù)字或模擬控制。Renesas所有的射頻衰減器具備高帶寬、低插入損耗、高線性、高衰減精確度、低偏差等特性。射頻衰減器的應(yīng)用包括無線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施（基站和寬帶基礎(chǔ)設(shè)施）(CATV)）、微波無線電、通訊衛(wèi)星和數(shù)據(jù)終端、通用型通信設(shè)備、測(cè)試和測(cè)量設(shè)備。

Renesas率先推出出選用Glitch-Free?數(shù)字步進(jìn)衰減器(DSA)，優(yōu)化軟件界面、提高安全可靠性、避免毀壞功率放大器等昂貴的子部件，限制數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器輸入超過額定范圍。Renesas的創(chuàng)新型Glitch-Free?技術(shù)可以清除發(fā)送和/或接收路徑中的衰減設(shè)置過沖(毛刺)，可以使最高有效位(MSB)過渡期間瞬時(shí)毛刺減少了95%。

另外，Renesas電壓可變衰減器(VVA)為用戶提供模擬控制，以滿足需要更準(zhǔn)確的衰減應(yīng)用程序。這些與類似的競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比較VVA有近半的低插入損耗和高IP3性能指標(biāo)，在電壓控制范圍內(nèi)線性衰減(dB)。硅基RF半導(dǎo)體技術(shù)，Renesas的衰減器為源于GaA原有的半導(dǎo)體技術(shù)提供了強(qiáng)有力的替代方案。硅技術(shù)提供了更強(qiáng)的靜電放電(ESD)保護(hù)，更好的溫度敏感度等級(jí)(MSL)、硅技術(shù)長(zhǎng)期性驗(yàn)證的更理想的熱性能指標(biāo)、更低的電流消耗和安全可靠性。

射頻衰減器的目的是根據(jù)系統(tǒng)的需要調(diào)節(jié)無線電發(fā)送器或接收器信號(hào)鏈中的信號(hào)范圍。通常采用數(shù)字衰減器(DSA)或模擬衰減器(VVA)調(diào)節(jié)衰減值。針對(duì)模擬衰減器或數(shù)字衰減器的選擇，需要根據(jù)應(yīng)用要求實(shí)現(xiàn)權(quán)衡。Renesas專業(yè)工程師可以幫助用戶選擇最適宜的設(shè)備。

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司，優(yōu)勢(shì)代理分銷Renesas產(chǎn)品線，部分系列常備現(xiàn)貨。

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Product ID	Frequency Range (MHz)	Supply Voltage (V)	Lead Count (#)	Input IP3 (dBm)	Gain (dB)	Gain Resolution (dB)	Output Impedance
F1912	1 - 4000	3 - 5.25	20	63	-1.4	0.5	50
F1950	150 - 4000	3 - 5.25	24	65	-1.3	0.25	50
F1951	100 - 4000	3 - 5.25	24	68	-1.2	0.5	50
F1953	400 - 4000	2.7 - 3.3	20	63	-1.4	0.5	50
F1956	1 - 6000	3 - 5.25	32	64	-1.3	0.25	50
F1958	1 - 6000	3 - 5.5	24	63	-1.3	0.25	50
F1975	5 - 3000	3 - 5.25	20	64	-1.2	0.5	75
F1977	5 - 3000	3 - 5.25	32	64	-1.4	0.25	75
F1978	5 - 3000	3 - 5.25	20	64	-1.2	0.5	75
F2250	50 - 6000	3.15 - 5.25	16	65	-1.4		50
F2251	50 - 6000	3.15 - 5.25	16	67	-1.4		50
F2255	1 - 3000	3.15 - 5.25	16	60	-1.1		50
F2258	50 - 6000	3.15 - 5.25	16	65	-1.4		50
F2270	5 - 3000	3.15 - 5.25	16	62	-1.1		75

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