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  ADI晶圓各種材料工藝對應輸出功率及頻率 2021-05-21 17:09:32

  ?在電子器件中，射頻和功率應用是主要的。GaN on SiC、GaN自支撐襯底、GaAs襯底、GaAs on Si主要用于射頻半導體(射頻前端PA等)，而Gan on Si和SiC襯底主要用于功率半導體(汽車電子學等)。

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  Ampleon C5H3438N110D功率GaN晶體管3.3-5.0GHz 2024-11-07 09:03:57

  Ampleon C5H3438N110D是一款110W GaN Doherty射頻功率晶體管，專為3400 MHz至3800 MHz頻率范圍內的基站應用設計。其特點包括緊湊的8 mm x 8 mm QFN封裝、5G mMIMO優化、高效率Doherty配置、寬帶操作、內部匹配設計以及優秀的數字預失真能力。適用于多載波應用，提供高帶寬和高數據速率，技術參數包括110W名義輸出功率、48V漏源電壓、13.6至15 dB功率增益和55%至62%的漏極效率。