&

ADI晶圓各種材料工藝對應輸出功率及頻率

發布時間：2021-05-21 17:09:32 瀏覽：2506

在電子器件中，射頻和功率應用是主要的。GaN on SiC、GaN自支撐襯底、GaAs襯底、GaAs on Si主要用于射頻半導體(射頻前端PA等)，而Gan on Si和SiC襯底主要用于功率半導體(汽車電子學等)。

由于其高功率密度，GaN在基站大功率器件領域具有獨特的優勢。與硅襯底相比，SiC襯底具有更好的導熱特性。目前，工業上95%以上的GaN射頻器件使用SiC襯底，如Qorvo是基于SiC襯底的，硅基GaN器件可以在8英寸的晶片上制作，具有更高的成本優勢。在功率半導體領域中，SiC襯底與GaN on Silicon的競爭僅占該領域的一小部分。GaN市場主要集中在低壓領域，而SiC主要用于高壓領域。他們的邊界約為600 V。

深圳市立維創展科技有限公司，優勢渠道提供ADI晶圓產品Waffle,專業此道，歡迎合作。

詳情了解ADI Wafer Products請點擊：/brand/68.html

或聯系我們的銷售工程師：0755-83050846 QQ: 3312069749

上一篇: DYTRAN 3168D2系列機載加速度計

下一篇: Bird-射頻專家精密功率傳感器

97免费无-97免费在线-97免费在线视频-97免费在线视屏-97欧美精-97碰公