?Renesas?微控制器和微處理器RL788/16位微控制器(MCU)進一步提高了電源效率,具備行業技術領先的低功耗性能指標。正常情況下工作時功能損耗為45.5μA/MHz,時鐘工作時功能損耗為0.57μA/MHz。內嵌高精度(±1%)高速片上振蕩器、可重寫100萬次的后臺管理操作數據閃存、溫度傳感器和多電源接口端口等功能有利于減少系統生產成本和重量。
ADI?晶圓的制取包括襯底制取和外延性工藝。襯底是由半導體材料單晶材料制作而成的晶片。該基板可直接進入晶圓制造流程以生產制造半導體元器件或外延性晶圓。外延性是指在單晶襯底上生長一層新單晶的流程。
MICRON? DDR3 SDRAM在之前的DDR和DDR2 SDRAM上提供額外的傳輸速率。除去優質的性能指標,MICRON DDR3有一個較低的工作頻率范圍。結果顯示可能是應用領域更高的傳輸速率來執行系統,與此同時消耗相等或更少的系統輸出功率。
DEI? BD429 ARINC線路驅動電路是一種雙極單片集成電路芯片,致力于滿足多種通用航空串行數據總線規范的需求。這些規范包括差分雙極RZ類型(如ARINC 429、ARINC 571和ARINC 575)和差分NRZ類型(如RS-422規范)。
TI 德州儀器電流感測放大器采用獨特的前端結構,使放大器的輸入電壓超過電源電壓,并帶有集成電阻,提高了精度和穩定性。
DATEL?采樣保持放大器(sample/hold)也被稱作采樣保持電路。當模擬信號轉換成為A/D時,需要相應的轉換時長。在此轉換時長內,模擬信號應保持基本性不變,以保證轉換精度。DATEL采樣保持電路是完成這一基本功能的控制電路。DATEL采樣保持放大器適用于信號處理系統、事件分析和許多其它應用領域。
IR HiRel?線性穩壓器(LDO)是一種易于使用的電源辦理計劃,輸出電壓鞏固,靜態電流低,輸入電壓寬,雜音低,封裝小。
?HOLT IC?最新的MIL-STD-1553系列Mamba TM為客戶提供了世界上最小的解決方案,可選擇用于常見應用配置的設備以節省成本。HOLT IC提供BC / MT / RT,BC / RT,RT / MT和RT組合。所有設備都是片上集成收發器,封裝在48針塑料QFP或6毫米x 6毫米QFN中,帶有4線40MHz主機串行外圍接口(SPI)。
Q-Tech?公司為通信、無線電、雷達、導彈和航空電子等商業和高度可靠的軍事應用提供最先進的混合晶體振蕩器。Q-Tech提供完整的美國振蕩器和晶體制造能力。所有的Q-Tech產品在設計、質量、準時交貨和一流的客戶服務方面都達到了Q-Tech的最高標準。Q-Tech致力于為客戶提供領先的頻率控制解決方案。
Renesas? RE Cortex-M超低功耗SOTBMCU使用ARM Cortex M核,該核心基于世界上最高的基于硅薄氧化物埋層(SOTB)工業技術的超低功耗MCU。在EEMBC ULPMark基準中,ULPMark-CP評分非常高,達到705。
ADI又稱亞德諾半導體,是全世界設計,生產制造和銷售高性能模擬,混合信號和數字信號處理(DSP )集成電路集成電路(IC )的領先企業。ADI擁有世界上最好的模擬芯片技術和廣泛的芯片設計專利。其晶圓產品通常采用高可靠性的產品包裝。
MICROND? DR4S DRAM是一種高帶寬電子計算機儲存器標準規范。它隸屬于SDRAM系列儲存器產品,提供比DDR3 SDRAM更強的性能指標和更低的電流電壓,是全新的儲存器標準規范。
?DEI?為航空電子和工業市場提供30多個離散數字接口IC。這些機器設備承受六個或八個并行處理輸入。一些型號規格將并行處理輸入轉換為SPI串行數據流,并滿足ABD0100H(空中客車指令)。全系列離散到數字產品包括do-160d防雷保護,以確保系統壽命。
TI德州儀表?放大器將高精密信號調整提升到一個新的技術水平,集成化電阻網絡能夠最大限度地提升精密度和空間工作效率。
DATEL多通道數據采集系統具備用途廣泛,性能全面、多通道差分或單端選擇、MIL-STD-883濾波可靠性高等特點。
?IR-HiRel?氮化鎵(GaN)比硅具有根本的優勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比,GaN-HEMTs具有優異的動態導通電阻和較小的電容,非常適合于高速開關。IR-HiRel不僅節省了功率,降低了系統的整體成本,而且允許更高的工作頻率,提高了功率密度和系統的整體效率。
HOLT IC?的MIL-STD-1553解決方案是行業內最小、最具成本效益的解決方案,提供了單片芯片上的整體1553接口。
Q-Tech?公司推出了QT 780系列、QT 723和QT 735振蕩器,用于新的空間和低地球軌道(LEO)應用,可提供高達50 kRad(Si)的TID輻射容限。Q-Tech新空間的晶體振蕩器的各種尺寸的引線和SMT封裝的封裝尺寸從2.5x3.2mm到8.89x13.97mm。
Renesas? RZ系列產品根據32位和64位arm的高端微處理器(MPU)為未來智能社會發展提供了所需要的處理方案。利用各種基于ArmCortex?-A7、A9、A15、A53、a57和R4,技術工程師可以高效實現高清晰度工業觸摸屏(HMI)、嵌入式視覺效果、嵌入式人工智能(e-ai)和實時處理,及其工業以太網銜接。
?20世紀50年代,鍺(GE)最開始是用作分立器件的半導體材料。ic集成電路的出現是半導體工業化向前邁開的重要一步。1958年7月,德克薩斯州達拉斯的德州儀器公司杰克·基爾比生產制造了第一個以鍺半導體材料為襯底的ic集成電路。
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